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IR3555MTRPBF
60A集成PowlRstage
- 描述
- 集成 PowIRstage® 封装，包含一个同步降压栅极驱动器 IC，该 IC 与控制和同步 MOSFET 以及一个肖特基二极管集成在一起，以进一步提高效率。该封装针对 PCB 布局、传热、驱动器/MOSFET 控制时序以及遵循布局指南时最小化开关节点振铃进行了优化。栅极驱动器和 MOSFET 的配对组合可在较低输出电压下实现更高的效率，满足尖端 CPU、GPU、ASIC 和 DDR 内存设计的需求。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IR3555MTRPBF
- 商品编号
- C537670
- 商品封装
- PQFN-30(6x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 4.5V~15V | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过流保护(OCP)；过热保护(OPT) |
商品概述
集成驱动器、肖特基二极管、控制MOSFET和同步MOSFET，具备5mV/A片上MOSFET电流感应及温度补偿报告功能。输入电压（VIN）范围为4.5V至15V。VCC和VDRV电源电压为4.5V至7V。输出电压范围从0.25V至5.5V。输出电流能力达60A。工作频率最高可达1.0MHz。VCC欠压锁定（UVLO）。具备8mΩ/℃温度模拟输出和热标志上拉至3.3V功能。过温保护（OTP）。逐周期自保护过流保护（OCP）。MOSFET相位故障检测及标志。预过压保护（Pre-OVP）。与3.3V三态PWM输入兼容。通过PWM三态支持Body-Braking™负载瞬态。二极管仿真模式（DEM）可提高轻载效率。高效双面散热。采用6mm x 6mm x 0.9mm小型PQFN封装。符合无铅RoHS标准封装。
商品特性
- 集成驱动器、肖特基二极管、控制MOSFET和同步MOSFET
- 5mV/A片上MOSFET电流感应及温度补偿报告功能
- 输入电压（VIN）范围为4.5V至15V
- VCC和VDRV电源电压为4.5V至7V
- 输出电压范围从0.25V至5.5V
- 输出电流能力达60A
- 工作频率最高可达1.0MHz
- VCC欠压锁定（UVLO）
- 8mΩ/℃温度模拟输出和热标志上拉至3.3V
- 过温保护（OTP）
- 逐周期自保护过流保护（OCP）
- MOSFET相位故障检测及标志
- 预过压保护（Pre-OVP）
- 与3.3V三态PWM输入兼容
- 通过PWM三态支持Body-Braking™负载瞬态
- 二极管仿真模式（DEM）可提高轻载效率
- 高效双面散热
- 采用6mm x 6mm x 0.9mm小型PQFN封装
- 符合无铅RoHS标准封装
应用领域
- 高频、大电流、薄型DCDC转换器
- 用于CPU、GPU、ASIC和DDR内存阵列的电压调节器