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IRS21064STRPBF
高低侧驱动器
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- 描述
- 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术，实现坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRS21064STRPBF
- 商品编号
- C538254
- 商品封装
- SOIC-14
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.266667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 100ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 传播延迟 tpLH | 220ns | |
| 传播延迟 tpHL | 200ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 静态电流(Iq) | 120uA |
商品概述
IRS2106/IRS21064是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3 V逻辑电平。
商品特性
- 浮动通道设计用于自举操作
- 可在高达+600 V的电压下完全正常工作
- 耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源范围为10 V至20 V
- 双通道均具备欠压锁定功能
- 与3.3 V、5 V和15 V输入逻辑兼容
- 双通道的传播延迟匹配
- 逻辑地和功率地之间允许±5 V的偏移
- 较低的di/dt栅极驱动器，具备更好的抗噪性能
- 输出与输入同相（IRS2106）
- 符合RoHS标准