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IRS2111STRPBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRS2111STRPBF

IRS2111STRPBF

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商品型号
IRS2111STRPBF
商品编号
C538275
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.169克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)420mA
属性参数值
拉电流(IOH)200mA
工作电压10V~20V
上升时间(tr)75ns
下降时间(tf)35ns
工作温度-

商品概述

IRS2111是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道,专为半桥应用而设计。专利的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。内部设有死区时间,以避免输出半桥出现直通现象。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压最高可达600 V。

商品特性

  • 浮动通道专为自举操作而设计
  • 可在高达+600 V的电压下完全正常工作
  • 耐受负瞬态电压,抗dV/dt干扰
  • 栅极驱动电源范围为10 V至20 V
  • 双通道均具备欠压锁定功能
  • 带下拉电阻的CMOS施密特触发输入
  • 双通道的传播延迟匹配
  • 内部设置死区时间
  • 高端输出与输入同相
  • 符合RoHS标准

数据手册PDF

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