IRS2112PBF
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 440mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 200mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 75ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
IRS2112是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高可承受600V电压。
商品特性
- 专为自举操作设计的浮动通道
- 最高可在+600V下完全正常工作
- 耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源范围为10V至20V
- 双通道均具备欠压锁定功能
- 与3.3V逻辑兼容
- 独立逻辑电源范围为3.3V至20V
- 逻辑地和功率地偏移范围为+/-5V
- 带下拉电阻的CMOS施密特触发输入
- 逐周期边沿触发关断逻辑
- 双通道传播延迟匹配
- 输出与输入同相
- 符合RoHS标准
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购买数量
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起订量：1 个1500个/管
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