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IRS21814STRPBF

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描述: 高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRS21814STRPBF
商品编号: C538299
商品封装: SOIC-14
包装方式: 编带
商品毛重: 0.91克(g)

商品参数

商品概述

IRS2181/IRS21814是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V。

商品特性

浮动通道专为自举操作而设计
可在高达+600V的电压下完全正常工作
耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
栅极驱动电源范围为10V至20V
两个通道均具备欠压锁定功能，与3.3V和5V输入逻辑兼容
两个通道的传播延迟匹配
逻辑地和功率地之间的偏移为+/-5V
较低的di/dt栅极驱动器，具备更好的抗噪声能力
输出源/灌电流能力为1.4A/1.8A
符合RoHS标准

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(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	1.8A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	1.4A
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	40ns
	下降时间(tf)	20ns
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)