IRS2117PBF
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 600mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 75ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 工作温度 | - |
商品概述
IRS2117、IRS21171和IRS2118是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧或低侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600 V。
商品特性
- 为自举操作设计的浮动通道
- 最高可在+600 V下完全工作
- 耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源范围为10 V至20 V
- 欠压锁定
- 带下拉电阻的CMOS施密特触发输入
- 输出与输入同相
- 符合RoHS标准
- IRS2117和IRS2118采用PDIP8封装
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