IRS21814MTRPBF
IRS21814MTRPBF
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRS21814MTRPBF
- 商品编号
- C538296
- 商品封装
- VFQFN-16(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 1.4A | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 40ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
IRS21814MPBF是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压高达600V。
商品特性
- 为自举操作设计的浮动通道
- 最高可在+600V下完全工作
- 耐受负瞬态电压,抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源范围为10V至20V
- 两个通道均具备欠压锁定功能
- 与3.3V和5V输入逻辑兼容
- 两个通道的传播延迟匹配
- 逻辑地和功率地偏移范围为+/-5V
- 较低的di/dt栅极驱动器,具备更好的抗噪性
- 输出源/灌电流能力(最小值)为1.4A/1.8A
- 无铅,符合RoHS标准
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(1个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
