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IRS2118STRPBF

单通道驱动器

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描述: IRS2117、IRS21171 和 IRS2118 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRS2118STRPBF
商品编号: C538287
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.11克(g)

商品参数

商品概述

IRS2117、IRS21171和IRS2118是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧或低侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600 V。

商品特性

为自举操作设计的浮动通道
最高可在+600 V下完全工作
耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
栅极驱动电源范围为10 V至20 V
欠压锁定
带下拉电阻的CMOS施密特触发输入
输出与输入同相
符合RoHS标准
IRS2117和IRS2118采用PDIP8封装

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	高边
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	600mA
	拉电流(IOH)	290mA
	工作电压	10V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	75ns
	下降时间(tf)	35ns
	传播延迟 tpLH	125ns
	传播延迟 tpHL	105ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)
	静态电流(Iq)	70uA