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IRS2113MTRPBF

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRS2113MTRPBF
商品编号: C538279
商品封装: VFQFN-16(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.06克(g)

商品参数

商品概述

IRS2113MPBF是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达600V。

商品特性

为自举操作设计的浮动通道
最高可在+600V下完全正常工作
耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
栅极驱动电源范围为10V至20V
双通道均具备欠压锁定功能
与3.3V输入逻辑兼容
独立的逻辑电源范围为3.3V至20V
逻辑地和功率地偏移±5V
带下拉的CMOS施密特触发输入
逐周期边沿触发关断逻辑
双通道传播延迟匹配
输出与输入同相
无铅，符合RoHS标准

数据手册PDF

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(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	2.5A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	2.5A
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	25ns
	下降时间(tf)	17ns
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)