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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRS21084SPBF

IRS21084SPBF

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商品型号
IRS21084SPBF
商品编号
C538258
商品封装
SOIC-14​
包装方式
管装
商品毛重
0.3克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)250mA
属性参数值
拉电流(IOH)120mA
工作电压10V~20V
上升时间(tr)100ns
下降时间(tf)35ns
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)

商品概述

IRS2108/IRS21084是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HViC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压最高可达600V。

商品特性

  • 浮动通道专为自举操作设计
  • 可在高达+600V电压下完全正常工作
  • 耐受负瞬态电压,抗dV/dt干扰
  • 栅极驱动电源范围为10V至20V
  • 双通道均具备欠压锁定功能
  • 与3.3V、5V和15V输入逻辑兼容
  • 具备交叉导通预防逻辑
  • 双通道的传播延迟匹配
  • 高端输出与HIN输入同相
  • 低端输出与LIN输入反相
  • 逻辑地和功率地之间允许有+/-5V的偏移
  • 内部死区时间为540ns,通过一个外部RDT电阻可将死区时间编程至最长5μs(IRS21084)
  • 较低的di/dt栅极驱动器,具备更好的抗噪声能力
  • 符合RoHS标准

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(1980个/管,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1980个/管

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