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IRS2109STRPBF

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描述: IRS2109/IRS21094 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，最低可至 3.3V
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRS2109STRPBF
商品编号: C538270
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.11克(g)

商品参数

商品概述

IRS2109/IRS21094是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉导通降至最低。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达600V。

商品特性

浮动通道专为自举操作而设计
可在高达+600V的电压下完全正常工作
耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
栅极驱动电源范围为10V至20V
双通道均具备欠压锁定功能
与3.3V、5V和15V输入逻辑兼容
具备交叉导通预防逻辑
双通道的传播延迟匹配
高端输出与IN输入同相
逻辑地和功率地之间的偏移为+/-5V
内部死区时间为540ns，通过一个外部RDT电阻可将其编程至最长5μs（IRS21094）
较低的di/dt栅极驱动器，具备更好的抗噪性能
关断输入可关闭两个通道
符合RoHS标准

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(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	250mA
	拉电流(IOH)	120mA
	工作电压	10V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	100ns
	下降时间(tf)	35ns
	传播延迟 tpLH	750ns
	传播延迟 tpHL	200ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	1mA