IR3579AMTRPBF
IR3579AMTRPBF
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IR3579AMTRPBF
- 商品编号
- C537678
- 商品封装
- PQFN-30(6x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 4.5V~15V |
商品概述
集成驱动器、肖特基二极管、控制MOSFET和同步MOSFET，具备5mV/A片上MOSFET电流感应及温度补偿报告功能 输入电压（VIN）范围为4.5V至15V VCC和VDRV电源电压范围为4.5V至7V 输出电压范围从0.25V到5.5V 输出电流能力达60A 工作频率高达1.0MHz VCC欠压锁定（UVLO） 8mΩ/℃温度模拟输出和热标志上拉至3.3V 过温保护（OTP） 逐周期自保护过流保护（OCP） MOSFET相位故障检测及标志 与3.3V三态PWM输入兼容 通过PWM三态实现Body-Braking™负载瞬态支持 二极管仿真模式（DEM），提高轻载效率 通过外露焊盘增强顶部散热 采用6mm x 6mm x 0.65mm小型PQFN封装 符合RoHS标准的无铅封装
顶部外露的集成PowIRstage包含一个同步降压栅极驱动器IC，该IC与控制和同步MOSFET以及肖特基二极管共同封装，以进一步提高效率。当遵循布局指南时，该封装在PCB布局、热传递、驱动器/MOSFET控制时序以及最小化开关节点振铃方面进行了优化。配对的栅极驱动器和MOSFET组合可在前沿CPU、GPU、ASIC和DDR内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率。
具有集成温度补偿的内部MOSFET电流感应算法与同类最佳的基于控制器的电感DCR感应方法相比，实现了卓越的电流感应精度。其他特性包括内部逐周期自保护过流保护及标志、相位故障标志、过温保护及标志以及内部封装温度报告。
高达1.0MHz的开关频率可实现高性能瞬态响应，允许在保持行业领先效率的同时，缩小输出电感以及输入和输出电容器的尺寸。
与数字控制器结合使用时，通过PWM三态集成了Body-Braking™功能，可减少输出电容器。还通过内置的ZCD_EN#使能的零交叉检测电路支持同步二极管仿真模式，提高系统轻载效率。
商品特性
- 集成驱动器、肖特基二极管、控制MOSFET和同步MOSFET
- 5mV/A片上MOSFET电流感应及温度补偿报告功能
- 输入电压（VIN）范围为4.5V至15V
- VCC和VDRV电源电压范围为4.5V至7V
- 输出电压范围从0.25V到5.5V
- 输出电流能力达60A
- 工作频率高达1.0MHz
- VCC欠压锁定（UVLO）
- 8mΩ/℃温度模拟输出和热标志上拉至3.3V
- 过温保护（OTP）
- 逐周期自保护过流保护（OCP）
- MOSFET相位故障检测及标志
- 与3.3V三态PWM输入兼容
- 通过PWM三态实现Body-Braking™负载瞬态支持
- 二极管仿真模式（DEM），提高轻载效率
- 通过外露焊盘增强顶部散热
- 采用6mm x 6mm x 0.65mm小型PQFN封装
- 符合RoHS标准的无铅封装
应用领域
- 高频、大电流、薄型DCDC转换器
- CPU、GPU、ASIC和DDR内存阵列的电压调节器
- 服务器应用中的CPU核心电源供电
- 为GPU、ASIC、DDR内存和其他大电流设计供电