IRS2103PBF
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 600mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
IRS2103 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3 V 逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，最高工作电压可达 600 V。
商品特性
- 专为自举操作设计的浮动通道
- 最高可在 +600 V 下完全正常工作
- 耐受负瞬态电压，抗 dV/dt 干扰
- 栅极驱动电源范围为 10 V 至 20 V
- 欠压锁定
- 与 3.3 V、5 V 和 15 V 逻辑兼容
- 交叉导通预防逻辑
- 两路通道的传播延迟匹配
- 内部设置死区时间
- 高端输出与 HIN 输入同相
- 低端输出与输入反相
- 符合 RoHS 标准