IRS2007STRPBF
200-V 半桥栅极驱动器 IC,带 VCC 和 VBS 欠压锁定
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- 描述
- IRS2007是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可至3.3 V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT,最高工作电压可达200 V。传播延迟经过匹配,便于HVIC在高频应用中使用。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRS2007STRPBF
- 商品编号
- C538240
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.004962克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 30ns | |
| 传播延迟 tpLH | 160ns | |
| 传播延迟 tpHL | 150ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) |
商品概述
IRS2007是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可至3.3 V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT,最高工作电压可达200 V。传播延迟经过匹配,便于HVIC在高频应用中使用。
商品特性
- 每通道栅极驱动电源最高可达20 V
- VCC、VBS欠压锁定
- 与3.3 V、5 V、15 V输入逻辑兼容
- 耐受负瞬态电压
- 专为自举电源设计
- 交叉导通预防逻辑
- 双通道传播延迟匹配
- 内部设置死区时间
- 高端输出与HIN输入同相
- 低端输出与LIN输入反相
- 工作温度范围:-40℃至125℃
- 2 kV HBM ESD
- 符合RoHS标准
应用领域
- 家电电机驱动
- 步进电机
- 伺服驱动器
- 微型逆变器驱动
- 通用三相逆变器
- 轻型电动车辆(电动自行车、电动滑板车、电动玩具)
- 无线充电
- 通用电池驱动应用
