IRS2001PBF
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 420mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 200mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 工作温度 | - |
商品概述
IRS2001是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。该驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达200 V。
商品特性
- 浮动通道专为自举操作而设计
- 最高可在+200 V下完全正常工作
- 耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源范围为10 V至20 V
- 欠压锁定
- 兼容3.3 V、5 V和15 V逻辑输入
- 两个通道的传播延迟匹配
- 输出与输入同相
- 符合RoHS标准