IR3579MTRPBF

集成驱动器、肖特基二极管、控制MOSFET和同步MOSFET，具备5mV/A片上MOSFET电流感应及温度补偿报告功能。输入电压（VIN）范围为4.5V至15V。 VCC和VDRV电源电压范围为4.5V至7V。输出电压范围从0.25V至5.5V。输出电流能力为60A。工作频率高达1.0MHz。VCC欠压锁定（UVLO）。8mΩ/℃温度模拟输出，热标志上拉至3.3V。过温保护（OTP）。逐周期自保护过流保护（OCP）。 MOSFET相位故障检测及标志。 预过压保护（Pre - OVP）。 与3.3V三态PWM输入兼容。通过PWM三态实现Body - Braking™负载瞬态支持。二极管仿真模式（DEM），提高轻载效率。通过外露焊盘增强顶部散热。采用6mm x 6mm x 0.65mm小型PQFN封装。 无铅，符合RoHS标准的封装。

• 集成驱动器、肖特基二极管、控制MOSFET和同步MOSFET。
• 5mV/A片上MOSFET电流感应及温度补偿报告功能。
• 输入电压（VIN）范围为4.5V至15V。
• VCC和VDRV电源电压范围为4.5V至7V。
• 输出电压范围从0.25V至5.5V。
• 输出电流能力为60A。
• 工作频率高达1.0MHz。
• VCC欠压锁定（UVLO）。
• 8mΩ/℃温度模拟输出，热标志上拉至3.3V。
• 过温保护（OTP）。
• 逐周期自保护过流保护（OCP）。
• MOSFET相位故障检测及标志。
• 预过压保护（Pre - OVP）。
• 与3.3V三态PWM输入兼容。
• 通过PWM三态实现Body - Braking™负载瞬态支持。
• 二极管仿真模式（DEM），提高轻载效率。
• 通过外露焊盘增强顶部散热。
• 采用6mm x 6mm x 0.65mm小型PQFN封装。
• 无铅，符合RoHS标准的封装。

• 高频、大电流、薄型DCDC转换器。
• 用于CPU、GPU、ASIC和DDR内存阵列的电压调节器。