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IR3535MTRPBF实物图
  • IR3535MTRPBF商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IR3535MTRPBF

IR3535MTRPBF

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商品型号
IR3535MTRPBF
商品编号
C537659
商品封装
QFN-16-EP(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.277克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
负载类型MOSFET
灌电流(IOL)6A
拉电流(IOH)4A
属性参数值
工作电压4.5V~7V
上升时间(tr)5ns
下降时间(tf)4ns

商品概述

IR3535是一款高性能浮动N沟道MOSFET驱动器,针对同步降压转换器的最大效率传输进行了优化。它是一款“智能”驱动器,可持续监测MOSFET状态,内置自校准电感电流检测放大器,并通过本地零电流检测提供二极管仿真模式。

与同类最佳的基于控制器的电感DCR检测方法相比,集成式电流检测放大器在实现出色的电流检测精度的同时,还能提供清晰准确的电流报告信息。

IR专利的Body - Braking™功能可减少负载释放期间电感到输出电容的能量传输,从而减少输出电容组的使用。

IR3535中的二极管仿真模式减轻了PWM控制器的零电流检测和控制负担,并提高了系统轻载效率。

IR3535可监测MOSFET状态和温度,若检测到MOSFET短路、开路或过热,则报告相位故障。

高达1.0MHz的开关频率能力可实现高性能瞬态响应,使输出电感小型化,并减少输入和输出电容,同时保持行业领先的效率。通过与IR的DirectFET™ MOSFET结合使用并采用双面布局,可优化解决方案的尺寸、热性能和成本。

IR3535是一款同步降压驱动器,为系统设计师提供了前沿CPU、GPU和内存供电设计所需的易用性和灵活性。IR3535设计用于与提供PWM信号的控制器配合使用。IR3535集成了一个连续自校准的电流检测放大器,针对电感DCR检测进行了优化。电流检测放大器提供信号增益和抗噪能力,为多相系统提供了用于编程阻抗设计的出色工具。

IR3535还提供一个相位故障信号,能够检测MOSFET开路、短路或驱动器附近的过热情况。

IR3535接受低电平有效的Body - Braking™输入,该输入可禁用输出MOSFET,以增强瞬态性能或提供高阻抗输出。

IR3535的PWM输入与3.3V逻辑兼容,耐压7V。它接受三电平PWM输入信号,当PWM信号浮空时具有二极管仿真功能,使设计师能够在不影响瞬态性能的情况下最大化系统轻载效率。

商品特性

  • 5V至7V栅极驱动器,GATEL灌电流为6A,GATEH灌电流为4A
  • 4.5V至14V的VIN范围
  • 本地无损电感电流检测,具有增强的抗噪能力和精度
  • 基于单参考的电流报告输出
  • 集成自举同步PFET三态PWM二极管仿真模式,实现最佳轻载效率
  • 7V耐压PWM输入,与3.3V逻辑兼容
  • 带PHSFLT输出的MOSFET监测
  • 过热报告
  • 每相仅需四个外部组件
  • 电流检测放大器输入失调自校准,以实现最大精度
  • 具有低电平有效逻辑的Body - Braking™功能
  • 符合RoHS标准,采用小型热增强型16引脚3×3mm MLPQ封装

应用领域

  • 服务器、笔记本电脑和台式电脑
  • 游戏机
  • 消费电子产品 - 机顶盒、液晶显示器、电视、打印机
  • 通用负载点(POL)DC - DC转换器

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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