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IR3548MTRPBF实物图
  • IR3548MTRPBF商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IR3548MTRPBF

IR3548MTRPBF

商品型号
IR3548MTRPBF
商品编号
C537666
商品封装
PQFN-49L(6x8)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

暂无内容图标

参数完善中

商品概述

IR3548是一款双集成PowIRstage,配有2对共封装的控制和同步MOSFET以及优化的双相驱动器。该封装在内部针对PCB布局、热传递和封装电感进行了优化。集成驱动器能够作为双驱动器(2个PWM控制2相)、倍增器驱动器(1个PWM控制2相)或四路驱动器(1个PWM控制两个IR3548中的4相)运行。 高达1.5MHz的开关频率可实现高性能瞬态响应,允许输出电感以及输入和输出电容小型化,同时保持行业领先的效率。IR3548将两相集成在一个封装中,同时仍能提供卓越的效率和热性能,可实现最小尺寸和更低的解决方案成本。较低的静态电流使其适用于下一代VR12.6/VR12.6+笔记本电脑应用。 IR3548采用了IR最新一代的低压MOSFET技术,其特点是超低栅极电阻(Rg)和电荷(Qg),可将开关损耗降至最低。同步MOSFET优化了传导损耗,并具有单片集成肖特基二极管,可显著减少死区时间以及二极管传导和反向恢复损耗。 IR3548专门针对12V输入应用(如服务器、某些笔记本电脑、GPU和DR内存设计)中的CPU核心供电进行了优化。

商品特性

  • 集成双模式、倍增器模式或四路模式驱动器
  • 2对高端和低端MOSFET
  • 在1.2V时峰值效率高达94%
  • 可变栅极驱动电压VDRV,范围从4.25V到12V,以优化系统效率
  • 具备5V VCC和VDRV能力,适用于仅提供5V电源的睡眠状态
  • 输入电压(VIN)范围为4.25V至17V
  • 每相输出电流能力为30A
  • 开关频率高达1.5MHz
  • 超低Rg MOSFET技术将开关损耗降至最低,以优化高频性能
  • 带有单片集成肖特基二极管的同步MOSFET可减少死区时间和二极管反向恢复损耗
  • 低静态电流(典型值为1μA),适用于VR12.6/VR12.6+笔记本电脑应用
  • 每相独立使能控制
  • 支持行业标准的3.3V三态PWM和IR有源三电平(ATL)PWM逻辑
  • 6mm x 8mm x 0.9mm小型PQFN封装
  • 符合RoHS标准的无铅封装

应用领域

  • 高频、薄型DC-DC转换器
  • 服务器、笔记本电脑的CPU、GPU和DDR内存阵列的电压调节器

数据手册PDF

交货周期

订货7-9个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1个/圆盘

总价金额:

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