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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IR35411MTRPBF

高效25V集成功率级

描述
新的集成功率级将最先进的低压MOSFET技术与最新的驱动器设计相结合。这些技术集成到成熟的多芯片PQFN封装中,为客户提供了用于管理处理器电源的一流效率器件。双边缘调整死区时间可显著提高峰值效率。内部MOSFET RDS(on)电流感应(通过专用开尔文接地连接)与集成温度补偿相结合,与电感DCR感应方法相比,可实现卓越的电流感应精度。新一代集成功率级还提供具有可编程阈值和故障标志的逐周期过流保护。此外,可编程恒定电流限制OCSET允许用户设置特定的电流限制。欠压锁定 (UVLO) 保护支持系统启动期间的稳定运行。
商品型号
IR35411MTRPBF
商品编号
C537663
包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录专业电源管理(PMIC)
功能特性可调限流;逐波限流;过流保护
输入电压4.25V~16V
属性参数值
输出电压0.25V~5.5V
输出电流60A

商品概述

新一代高效25V集成功率级将先进的低压MOSFET技术与新驱动器设计相结合。这些技术集成于成熟的多芯片PQFN封装中,为客户提供用于处理器电源管理的顶级效率器件。驱动器技术、FET技术和封装技术的集成也展现了整流器能力的强大结合。该新系列中的所有集成功率级均采用行业标准的5×6封装尺寸和多种电流额定值,满足高端和性价比客户需求。双沿调整死区时间显著提升了峰值效率。通过专用开尔文接地连接实现的内置MOSFET RDS(on)电流检测,结合集成温度补偿,相比电感DCR检测方法实现了更优异的电流检测精度。该新型集成功率级系列还提供具有可编程阈值和故障标志的逐周期过流保护。此外,其可编程恒定电流限制OCSET允许用户设定特定电流限值。欠压锁定保护支持系统启动期间的稳定运行。新一代集成功率级针对服务器、电信和数据通信应用中的CPU核心以及GPU和DDR内存供电进行了优化。

商品特性

  • 小型5×6×0.9 mm³模塑PQFN封装,0.45 mm间距
  • 高精度电流报告
  • 可编程恒定电流限制OCSET
  • 快速开关技术,提升高频性能,获得更佳峰值效率
  • 输入电压范围4.25 V至16 V
  • 输出电压范围0.25 V至5.5 V
  • 输出电流能力高达70 A
  • 工作频率高达1.5 MHz
  • 针对5 V驱动优化

应用领域

  • 服务器与存储
  • 电信
  • 数据通信

数据手册PDF