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AON6380-MS
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和其他开关应用
- 描述
- 此款AON6380-MS型号MOS管，采用先进DFN5X6-8L封装技术，结构紧凑，散热性能优秀。作为一款高性能N沟道MOSFET，其具备30V的最高耐压值，以及惊人的70A连续漏极电流能力，充分展现了超强的电力处理性能。尤其引人注目的是仅有5.7mΩ的超低导通电阻，大大提升了能源效率并减少了功率损耗。广泛应用于高功率开关电源、快速充电器、电机驱动等高电流领域，是业界领先的高效能半导体器件解决方案。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AON6380-MS
- 商品编号
- C51927968
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2216克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AON6380-MS采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至4.5V的栅极电压下工作。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 80 A
- RDS(ON) < 6 mΩ(VGS = 10 V)
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源