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JNG40T65HMU1
650V 80A
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- 描述
- JIAEN沟槽IGBT降低了传导损耗，提高了开关性能，并增强了雪崩能量。用于电机驱动器、太阳能逆变器、谐振转换器和其他软开关应用。
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- JNG40T65HMU1
- 商品编号
- C51484257
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 120A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.95V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.3V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC@520V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.54nF | |
| 输出电容(Coes) | 126pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 67pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 104ns | |
| 导通损耗(Eon) | 950uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 930uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 55ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
沟槽型IGBT可降低导通损耗，改善开关性能，并增强雪崩能量。
商品特性
- 650V，40A
- VCE(sat)(typ) = 1.65V @ VGE = 15V， Ic=40A
- 高速开关
- 正温度系数
- 可靠且坚固
- 低VCE(sat)