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JNG60T65HS1
650V 120A
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- 描述
- JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- JNG60T65HS1
- 商品编号
- C51484260
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 120A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.7V@60A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC | |
| 输入电容(Cies) | 2.662nF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出电容(Coes) | 206pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 19pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 47ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 159ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 808ns |