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JNG50N120LS
1.2kV 100A
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- 描述
- NPT IGBTs 为诸如感应加热 (IH)、不间断电源 (UPS)、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- JNG50N120LS
- 商品编号
- C51484273
- 商品封装
- TO-264
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 10.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | NPT(非穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.6V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 340nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 360pF | |
| 输出电容(Coes) | 218pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 218pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 95ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 55ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3.16mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 6.58mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 292ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
JIAEN NPT IGBT 具有更低的损耗和更高的能效，适用于诸如感应加热、不间断电源、通用逆变器以及其他软开关应用。
商品特性
- 1200V，50A
- VCE(sat)(typ) = 2.1V @ VGE = 15V， lc=50A
- 高速开关
- 更高的系统效率
- 软电流关断波形
- 采用 NPT 技术实现方形反向偏置安全工作区