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JNG25T120HJS1
1.2kV 50A
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- 描述
- 沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- JNG25T120HJS1
- 商品编号
- C51484268
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 428W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 133nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 2.08nF | |
| 输出电容(Coes) | 105pF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向传输电容(Cres) | 20pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 31ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 184ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 900uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 309ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |