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GL50HF120T1UA1
1.2kV 50A
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- 描述
- 特性：1200V 50A。VCE(sat)(typ.) = 2.1V。沟槽栅场截止技术。高 RBSOA 性能。低关断损耗。应用：电焊机 / 电源。不间断电源 / 逆变器
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- GL50HF120T1UA1
- 商品编号
- C51484287
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 158.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 100A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.2V@1.7mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.6nF | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 140pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 40ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 230ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- 1200V 50A，典型饱和压降 VCE(sat)(typ.) = 2.1V
- 采用沟槽栅场截止技术
- 具备高反向偏置安全工作区能力
- 关断损耗低
应用领域
- 电焊机/电源
- 不间断电源/逆变器
- 工业电机驱动器