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GN200HF120T3SS1
1.2kV 200A
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- 描述
- Trench FS IGBTs 为通用逆变器和其他软开关应用提供更低的损耗和更高的能源效率，如电机驱动、交流和直流伺服驱动放大器、电源。
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- GN200HF120T3SS1
- 商品编号
- C51484291
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 321.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 1.071kW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 200A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 400A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V@200A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@12.5mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 14.7nF | |
| 输出电容(Coes) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Cres) | 740pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 126ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 527ns | |
| 导通损耗(Eon) | 5.6mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 21.6mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品概述
JIAEN 沟槽场截止型 IGBT 提供更低的损耗和更高的能效，适用于通用逆变器及其他软开关应用，例如电机驱动、交流和直流伺服驱动放大器、电源。
商品特性
- 1200V 200A
- VCE(sat)(典型值) = 1.6V @ VCE = 15V, IC = 200A
- 软关断
- 正 VCE(on) 温度系数
- 易于并联