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GL100HF120F1UR1
1.2kV 100A
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- 描述
- 特性：1200V 100A。 VCE(sat)(typ.)=2.5V。 平面栅场截止技术。 高 RBSOA 性能。 低关断损耗。应用：感应加热。 电焊机
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- GL100HF120F1UR1
- 商品编号
- C51484288
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 151.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 565W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 200A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3.1V@100A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.38nF | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 200pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 57ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 350ns | |
| 导通损耗(Eon) | 8.8mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.7mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 1200V 100A，典型饱和压降VCE(sat)=2.5V
- 平面栅场截止技术
- 高反向偏置安全工作区性能
- 低关断损耗
应用领域
- 感应加热
- 电焊机
- 高频开关应用