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JFAM50N50C
N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：快速开关。 ESD 改进能力。 低栅极电荷（典型数据：140nC）。 低反向传输电容（典型值：80pF）。 100% 单脉冲雪崩能量测试。应用：PC 电源的功率开关电路
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- JFAM50N50C
- 商品编号
- C51484302
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC | |
| 输入电容(Ciss) | 8.26nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 730pF |
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