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JNG40T120HIRU2
1.2kV 80A
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- 描述
- Trench IGBTs 为 UPS、电机驱动器、PFC、移动电源站和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- JNG40T120HIRU2
- 商品编号
- C51484285
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 441W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.3V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 346nC@960V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.98nF | |
| 输出电容(Coes) | 157pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 93pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 25ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 262ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.3mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 84ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
沟槽型绝缘栅双极型晶体管具备更低的损耗和更高的能效。
商品特性
- 1200V，40A
- 典型值 V_CE(sat) = 1.7V @ V_GE = 15V， I_C = 40A
- 正温度系数
- 快速开关
- 可靠且坚固
- 提供无卤素环保型器件
应用领域
- 不间断电源
- 电机驱动
- 功率因数校正
- 便携式电站