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JNG50T120LIS2
1.2kV 100A
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- 描述
- JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- JNG50T120LIS2
- 商品编号
- C51484274
- 商品封装
- TO264
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 329W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.8V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 243nC | |
| 输入电容(Cies) | 7.33nF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出电容(Coes) | 219pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 49pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 94ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 435ns | |
| 导通损耗(Eon) | 4.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.6mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 1.02us | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |