温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
JNG25T120HIRU2
1.2kV 50A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 沟槽式 IGBT 为诸如 UPS、感应转换器、不间断电源和其他软开关应用等提供了更低的损耗和更高的能源效率。
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- JNG25T120HIRU2
- 商品编号
- C51484284
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 277W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 75A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V@25A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.4V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90.4nC@600V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.251nF | |
| 输出电容(Coes) | 68pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 13.7pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 35ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 235ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.27mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.64mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 248ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品概述
JIAEN沟槽型IGBT提供更低的损耗和更高的能效，适用于诸如UPS、感应转换器、不间断电源及其他软开关应用。
商品特性
- 1200V，25A
- VCE(sat)(typ)典型值为1.8V（当VGE = 15V， IC = 25A时）
- 高速开关
- 更高的系统效率
- 软电流关断波形
- 方形反向偏置安全工作区