温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
JNG25T120HIRU2
1.2kV 50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 沟槽式 IGBT 为诸如 UPS、感应转换器、不间断电源和其他软开关应用等提供了更低的损耗和更高的能源效率。
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- JNG25T120HIRU2
- 商品编号
- C51484284
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 耗散功率(Pd) | 277W | |
| 输出电容(Coes) | 68pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 75A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V@25A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.251nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 35ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 235ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.27mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.64mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 248ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 13.7pF |