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JNG40T120HJS1
1.2kV 80A
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- 描述
- 沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- JNG40T120HJS1
- 商品编号
- C51484272
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 120A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 191nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.21nF | |
| 输出电容(Coes) | 198pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 29pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 42ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 266ns | |
| 导通损耗(Eon) | 4mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.8mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 175ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品概述
沟槽型IGBT具有更低损耗和更高能效，适用于电机控制、通用逆变器及其他软开关应用。
商品特性
- 1200V，40A
- 典型集电极-发射极饱和电压为1.7V（在栅极-发射极电压为15V、集电极电流为40A条件下）
- 高速开关
- 更高的系统效率
- 软电流关断波形
- 方形反向偏置安全工作区