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JNG40T120HS
1.2kV 80A
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- 描述
- JIAEN沟槽式IGBT为诸如感应加热（IH）、不间断电源（UPS）、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- JNG40T120HS
- 商品编号
- C51484270
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 90A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 107nC@600V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3nF | |
| 输出电容(Coes) | 80pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 30pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 87ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 158ns | |
| 导通损耗(Eon) | 6.1mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 326ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
沟槽型IGBT在诸如感应加热、不间断电源、通用逆变器及其他软开关应用中，能够提供更低的损耗和更高的能效。
商品特性
- 1200V，40A
- 典型集电极-发射极饱和电压 VCE(sat, typ) = 2.1V @ VGE = 15V, IC = 40A
- 高速开关
- 更高的系统效率
- 软电流关断波形
- 方形反向偏置安全工作区