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JNG15T120HS
1.2kV 30A
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- 描述
- JIAEN沟槽式IGBT为诸如IH（感应加热）、UPS、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- JNG15T120HS
- 商品编号
- C51484264
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 45A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.4V@15A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@600V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.46nF | |
| 输出电容(Coes) | 95pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 45pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 37ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 83ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.24mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 480uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 62ns | |
| 工作温度 | -40℃~+155℃ |
商品概述
JIAEN 沟槽型 IGBT 提供更低的损耗和更高的能效，适用于诸如感应加热、不间断电源、通用逆变器及其他软开关应用。
商品特性
- 1200V，15A，V_CE(sat)(typ) = 1.95V@V_GE = 15V，I_C = 15A
- 高速开关
- 更高的系统效率
- 软电流关断波形
- 方形反向偏置安全工作区