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JNG60T65HJU1
650V 120A
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- 描述
- 沟槽式IGBT为UPS、感应转换器、不间断电源和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- JNG60T65HJU1
- 商品编号
- C51484261
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 394W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 120A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V@60A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1mA | |
| 输入电容(Cies) | 3.86nF | |
| 输出电容(Coes) | 170pF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向传输电容(Cres) | 30pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 44ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 166ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.3mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 78ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |