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JNG50T65HJU1
650V 100A
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- 描述
- JIAEN沟槽式IGBT为不间断电源、感应转换器、不间断电源和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率。
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- JNG50T65HJU1
- 商品编号
- C51484258
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 535W | |
| 输出电容(Coes) | 170pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 200A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.8V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 158nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.82nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 52ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 193ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.7mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 82ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 37pF |