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JNG50T65HMU1
650V 100A
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- 描述
- JIAEN沟槽式IGBT降低了传导损耗，提高了开关性能，并增强了雪崩能量。用于电机驱动、UPS、升压、便携式电站和其他软开关应用。
- 品牌名称
- JIAENSEMI(佳恩半导体)
- 商品型号
- JNG50T65HMU1
- 商品编号
- C51484259
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.2V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.3V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 183nC@520V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.356nF | |
| 输出电容(Coes) | 179pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 93pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 24ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 124ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.4mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.2mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 136ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
沟槽型IGBT可降低导通损耗，改善开关性能并增强雪崩能量。适用于电机驱动、不间断电源、升压转换器、便携式电站及其他软开关应用。
商品特性
- 650V，50A
- V_CE(sat)(typ) = 1.65V @ V_GE = 15V， I_C = 50A
- 高速开关
- 正温度系数
- 可靠且坚固
- 低V_CE(sat)