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SI2305-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- 这款场效应管具有5A的电流承载能力，最高20V的工作电压，以及35mR的典型内阻。其VGS为12V，属于P型场效应管。适用于多种应用场景，如电源管理、信号放大等，确保系统稳定运行。低内阻保证了高效率和低功耗。
- 商品型号
- SI2305-HXY
- 商品编号
- C4748718
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 857pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 114pF |
商品概述
SI2305-HXY采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -5A
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 45mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理