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SI2333-HXY
1个P沟道 耐压:18V 电流:6.5A
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- 描述
- 本产品是一款P型场效应管，具有7A的电流承载能力，最高20V的工作电压。其内阻典型值为20mΩ，栅源极电压VGS为12V。适用于多种应用场景，如电源管理、信号放大等，确保系统稳定运行。低内阻使其具备高效能特性。
- 商品型号
- SI2333-HXY
- 商品编号
- C4748717
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF@4V | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO3416A-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 6.5 A
- RDS(ON) < 22 mΩ（VGS = 4.5 V时）
- ESD = 2500 HBM
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源