温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SM180R65CT2TL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 168W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.54nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF@25V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
SM180R65C是采用先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势，同时具备低开关损耗。
商品特性
- 20A，650V，RDS（on）（最大值）= 0.18欧姆@VGS = 10V
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源