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SM600R65CT2TL
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 品牌名称
- SPS(美国源芯)
- 商品型号
- SM600R65CT2TL
- 商品编号
- C509120
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 380pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@25V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
IRF600R65C是一款采用先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来低EMI优势，同时具备低开关损耗。
商品特性
- 7A、650V，RDS（on）（最大值）= 0.6欧姆@VGS = 10V
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源