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SMIRF8N65T2TL
1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
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- 品牌名称
- SPS(美国源芯)
- 商品型号
- SMIRF8N65T2TL
- 商品编号
- C509106
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.12nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@25V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
SMIRF8N65 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管。改进的平面条纹单元和改进的保护环终端经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件广泛应用于 AC-DC 电源、DC-DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器。
商品特性
- 8A、650V，RDS(on)（典型值）= 0.9 欧姆@VGS = 10V
- 低栅极电荷
- 低 Crss
- 快速开关
- 改进的 dv/dt 能力
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源