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SMIRF7N65T9RL
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 品牌名称
- SPS(美国源芯)
- 商品型号
- SMIRF7N65T9RL
- 商品编号
- C509101
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.594克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 145W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 955pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@25V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
SMIRF7N65是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的平面条纹单元和优化的保护环终端经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。
商品特性
- 7A、650V，RDS(导通)(典型值)=1.1欧姆，VGS = 10V
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源