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SUD19P06-60L-E3
1个P沟道 耐压:60V 电流:19A
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 175°C结温
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SUD19P06-60L-E3
- 商品编号
- C506581
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.374克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.71nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 175 °C结温
- P沟道MOSFET
- 符合RoHS标准
- SUD50P04-08-GE3
- SI4101DY-T1-GE3
- SI4204DY-T1-GE3
- SI4288DY-T1-GE3
- SI3585CDV-T1-GE3
- SI7456DDP-T1-GE3
- SI7478DP-T1-E3
- SI7611DN-T1-GE3
- SIA400EDJ-T1-GE3
- SIA427DJ-T1-GE3
- SIR870ADP-T1-GE3
- SIS407DN-T1-GE3
- TLZ12B-GS08
- VS-6CWQ04FNTR-M3
- 1N5418TR
- TZMC10GS08
- DG2592DN-T1-GE4
- IHLP1212ABERR22M11
- MMSZ5227C-E3-08
- SIC620CD-T1-GE3
- SIP32102DB-T1-GE1