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SI7611DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:40V 电流:18A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 低热阻PowerPAK封装，尺寸小，高度仅1.07mm。 100% Rg和UIS测试。应用：负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7611DN-T1-GE3
- 商品编号
- C506599
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,9.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.98nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF@20V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
P沟道40 V（D - S）MOSFET，TrenchFET功率MOSFET，采用低热阻的PowerPAK 1212 - 8封装，尺寸小且高度低至1.07 mm。PowerPAK 1212 - 8是PowerPAK SO - 8的衍生产品，利用相同封装技术最大化芯片面积，芯片附着垫底部暴露以提供直接低电阻热路径到安装的基板，具有与PowerPAK SO - 8相同的热性能水平。其占地面积与TSOP - 6相当，比标准TSSOP - 8小40%以上，芯片容量是标准TSOP - 6的两倍多，热性能比SO - 8好一个数量级，比TSSOP - 8好20倍，能利用任何PCB板散热器能力，与TSSOP - 8相比可使芯片效率提高约20%。单和双PowerPAK 1212 - 8与单和双PowerPAK SO - 8采用相同引脚输出，低1.05 mm的高度使其适用于空间受限的应用。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻PowerPAK封装，尺寸小且高度低至1.07 mm
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 负载开关