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IRF640STRLPBF

1个N沟道耐压:200V 电流:18A

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描述: 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。D2PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D2PAK适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可以耗散高达2.0W的功率。通孔版本适用于薄型应用。
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRF640STRLPBF
商品编号: C506640
商品封装: TO-263(D2PAK)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.653克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可散热高达2.0 W。通孔版本（SiHF640L）适用于薄型应用。

商品特性

表面贴装
薄型通孔
提供卷带包装
动态dV/dt额定值
150°C工作温度
快速开关
完全雪崩额定

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	18A
	导通电阻(RDS(on))	180mΩ@10V,11A
	耗散功率(Pd)	3.1W；130W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	70nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.3nF@25V
	反向传输电容(Crss)	130pF
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	430pF