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FCMT180N65S3
FCMT180N65S3
- 描述
- SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET III MOSFET 非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、适配器和太阳能反相器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装，高度（高 1mm）和占位都很小 (8 * 8 mm2)。Power88 封装内的 SUPERFET III MOSFET 具有更低的寄生电源电感以及分离的电源和驱动源，可提供卓越的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCMT180N65S3
- 商品编号
- C504889
- 商品封装
- PQFN-4(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,8.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 139W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，实现出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰（EMI）问题，使设计实施更加简便。 Power88封装是一种超薄表面贴装封装（高度为1 mm），外形低矮，占用空间小（8x8 mm²）。采用Power88封装的SUPERFET III MOSFET由于具有较低的寄生源极电感以及独立的功率和驱动源，因此具备出色的开关性能。Power88封装的湿度敏感度等级为1级（MSL 1）。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 152 mΩ
- 超低栅极电荷（典型值Qg = 33 nC）
- 低有效输出电容（典型值Coss(eff.) = 305 pF）
- 经过100%雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 电信/服务器电源-工业电源-不间断电源(UPS)/太阳能-照明/充电器/适配器