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FCMT180N65S3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FCMT180N65S3

FCMT180N65S3

描述
SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SUPERFET III MOSFET 非常适用于开关电源应用,如服务器/电信电源、适配器和太阳能反相器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装,高度(高 1mm)和占位都很小 (8 * 8 mm2)。Power88 封装内的 SUPERFET III MOSFET 具有更低的寄生电源电感以及分离的电源和驱动源,可提供卓越的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FCMT180N65S3
商品编号
C504889
商品封装
PQFN-4(8x8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.37克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)17A
导通电阻(RDS(on))180mΩ@10V,8.5A
耗散功率(Pd)139W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)33nC@10V
输入电容(Ciss)1.35nF@400V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

交货周期

订货99-101个工作日

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 3000 个)
起订量:3000 个3000个/圆盘

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