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FDMS86202
耐压:120V 电流:64A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86202
- 商品编号
- C504883
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.3mΩ@6V,11.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4.25nF@60V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@60V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 13.5 A时，最大rDS(on) = 7.2 mΩ
- VGS = 6 V、ID = 11.5 A时，最大rDS(on) = 10.3 mΩ
- 先进的封装与硅片组合，实现低rDS(on)和高效率
- MSL1高可靠性封装设计
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
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