SIC620CD-T1-GE3
60A 高效同步降压电源管理芯片
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- 描述
- SiC620 和 SiC620A 是集成电源阶段解决方案,适用于同步降压应用,提供高达 60A 的连续电流,峰值效率达到 95%。采用 Vishay 的第四代 MOSFET 技术,支持高达 1.5MHz 的高频操作,优化了开关和导通损耗。支持 3.3V (SiC620A) 和 5V (SiC620) 的 PWM 逻辑,具备零电流检测控制、自适应死区时间控制、集成的 Bootstrap 肖特基二极管、热警告和欠压锁定等功能。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIC620CD-T1-GE3
- 商品编号
- C506604
- 商品封装
- MLP55-31L(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.109克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 | |
| 功能类型 | 降压型 | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 输出电压 | - | |
| 输出电流 | 60A | |
| 开关频率 | 300kHz~1.5MHz | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(TJ) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 同步整流 | 是 | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 拓扑结构 | 降压式 | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 开关管(内置/外置) | 内置 | |
| 输出类型 | - |
商品概述
SiC620 和 SiC620A 是针对同步降压应用优化的集成电源级解决方案,可提供高电流、高效率和高功率密度性能。采用Vishay专有的5 mm x 5 mm MLP封装,SiC620 和 SiC620A 使电压调节器设计能够每相提供高达60 A的连续电流。内部功率MOSFET采用了Vishay最先进的第四代沟槽技术,该技术提供了行业基准性能,显著降低了开关损耗和导通损耗。
SiC620 和 SiC620A 集成了先进的MOSFET栅极驱动IC,具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成的自举肖特基二极管、热警告(THWn)以警示系统过高的结温以及零电流检测以提高轻负载效率。这些驱动器还兼容广泛的PWM控制器,并支持三态PWM、3.3 V(SiC620A)/ 5 V(SiC620)PWM逻辑。
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