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SIS407DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:25A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 低热阻。 PowerPAK封装，尺寸小，高度仅1.07mm。 100%进行Rg和UIS测试。 材料分类：如需了解合规定义，请参阅相关文档。应用：负载开关。 电池开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS407DN-T1-GE3
- 商品编号
- C506608
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.76nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 405pF |
商品概述
P沟道20 V（D - S）MOSFET，PowerPAK 1212 - 8是PowerPAK SO - 8的衍生产品，采用相同封装技术，可最大化芯片面积。芯片附着垫底部暴露，为安装设备的基板提供直接、低电阻的热路径。其封装尺寸比标准TSSOP - 8小40%以上，芯片容量是标准TSOP - 6的两倍多，热性能比SO - 8好一个数量级，比TSSOP - 8好20倍。能利用任何PC板散热器能力，与TSSOP - 8相比，可使结温降低，芯片效率提高约20%。单双版本均采用与单双PowerPAK SO - 8相同的引脚排列，1.05 mm的低高度使其适用于空间受限的应用。
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 低热阻、小尺寸、1.07 mm低外形的PowerPAK封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 负载开关-电池开关