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SIS407DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:25A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 低热阻。 PowerPAK封装，尺寸小，高度仅1.07mm。 100%进行Rg和UIS测试。 材料分类：如需了解合规定义，请参阅相关文档。应用：负载开关。 电池开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS407DN-T1-GE3
- 商品编号
- C506608
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.76nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 405pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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